๋๊ตญ์์
๋๊ตญ๋ ๊น์ฑ์ค ์ฐ๊ตฌํ, ํ-๋ ๊ธฐ์ ํ๋ ฅ์ผ๋ก HfAlOx ๊ธฐ๋ฐ ๊ฐ์ ์ ์ฑ ํฐ๋ ์ ํฉ ์์ ๊ฐ๋ฐ

(์ผ์ชฝ๋ถํฐ) ๋๊ตญ๋ ์ ์์ ๊ธฐ๊ณตํ๋ถ ๊น์งํ, ๊น๋คํ ์์ฌ, ๊น์ฑ์ค ๊ต์. Fraunhofer IKTS ์์ Microelectronic Materials and Nanoanalysis์ André Clausner ๋ฐ์ฌ.
CMOS ๊ธฐ์ ๊ณผ ํธํ ๊ฐ๋ฅํ HfAlOx ๊ธฐ๋ฐ ๊ฐ์ ์ ์ฑ ํฐ๋ ์ ํฉ ์์ ์ ์
๋ฐ์ด๋ ๋นํ๋ฐ์ฑ ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ ํน์ฑ์ ํ๋ณดํ์ฌ ์ธ๊ณต์ง๋ฅ ์์ฉ ๊ตฌํ์ ์ฑ๊ณต
๋๋
ธ์ญํ๊ณผ ๊ธฐ๊ณ์ ์ ๋ขฐ์ฑ์ ์ฐ๊ตฌํ๋ ๋
์ผ์ Fraunhofer IKTS ์ฐ๊ตฌํ๊ณผ ๊ธด๋ฐํ ํ๋ ฅ
๋๋
ธ ๋ถ์ผ ์ ๋ช
๊ตญ์ ํ์ ์ง ‘Advanced Intelligent Systems’ ์จ๋ผ์ธ ๊ฒ์ฌ ๋ฐ ์ปค๋ฒ ์ ์
๋๊ตญ๋ถฤว๊๊ต ์ ์์ ๊ธฐ๊ณตํ๋ถ ๊น์งํ, ๊น๋คํ ์์ฌ (๊ณต๋ ์ 1์ ์), ๊น์ฑ์ค ๊ต์ (๊ต์ ์ ์)๋ก ๊ตฌ์ฑ๋ ์ฐ๊ตฌํ์ด ๊ฐ์ ์ ์ฑ HfAlOx ๋ฐ๋ง ๊ธฐ๋ฐ ์ฐจ์ธ๋ ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ ์์๋ฅผ ๊ฐ๋ฐํ๋ค๊ณ ๋ฐํํ๋ค.
๊ธฐ์กด Perovskite ๊ธฐ๋ฐ ๊ฐ์ ์ ์ฑ ํฐ๋ ์ ํฉ ์์๋ ์์ ์ฑ ๋ฐ ๋ด๊ตฌ์ฑ ๋ฌธ์ , ๊ณต์ ๋ณต์ก์ฑ๊ณผ CMOS ํธํ์ด ๋ถ๊ฐ๋ฅํ๋ค๋ ํ๊ณ๋ฅผ ๊ฐ์ง๊ณ ์๋ค. ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์ ๊ฐ๋ฐํ ๊ฐ์ ์ ์ฑ ๋ฐ๋ง์ ๋ฐ์ด๋ ์ ๋ขฐ์ฑ๊ณผ CMOS ํธํ์ฑ, ๋ฎ์ ์๋น ์ ๋ ฅ๊ณผ ๊ณ ๋ฐ๋ ์ ์ฅ์ ์ฅ์ ์ ๊ฐ์ง๊ณ ์๋ค. ๋ณธ ์ฐ๊ตฌ์์ ์ ์ํ HfAlOx๋ ALD ๊ธฐ์ ์ ํตํด ์ ํํ ๋๊ป ์กฐ์ ๊ณผ Al ๋ํ ๋๋์ ์ต์ ํ๋ฅผ ๋ฌ์ฑํ๊ณ , ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ ํน์ฑ ๋ฐ ์๋
์ค ์์ ํน์ฑ์ ๊ฐ์ ํ๋ค.
๊น์ฑ์ค ๊ต์๋ “๊ณต๋ 1์ ์ ํ์์ด ์ง์ ์์ธ๋ถฤว๊๊ต ๋ฐ๋์ฒด๊ณต๋์ฐ๊ตฌ์์ ๋๊ตญ๋ถฤว๊๊ต MINT ์ฒญ์ ์ค ์ฅ๋น๋ฅผ ํ์ฉํ์ฌ ์์ ์ ์์ ์งํํ์๊ณ , ๋ค๋ฅธ ๊ณต๋ 1์ ์ ํ์์ ๋
์ผ Fraunhofer IKTS ์ฐ๊ตฌํ์ ํ๊ฒฌ๋์ด ๊ธด๋ฐํ ํ๋ ฅํ๋ค. ์ฐ์ํ ์ ์ฅ ์ฉ๋๊ณผ ๋์ ์๋ต ์๋๋ฅผ ์ ๊ณตํ์ฌ ๋์ฉ๋ ๊ณ ์ ์์๊ฐ ์๊ตฌ๋๋ ๋ถ์ผ์์ ํต์ฌ์ ์ธ ์ญํ ์ ํ ๊ฒ์ผ๋ก ์์ํ๋ค”๋ฉฐ “๋ด๋ฐ ํํ์ ์ ๋ณด ์ฒ๋ฆฌ์ ๊ธฐ์ต ๊ธฐ๋ฅ์ ํจ๊ณผ์ ์ผ๋ก ๋ชจ๋ฐฉํ๊ณ ๊ตฌํํ๋ ๋ฐ ํ์ฉ์ด ๊ฐ๋ฅํ ์ ์์ ๊ฒ”์ด๋ผ๊ณ ๊ธฐ๋๋ฅผ ๋ํ๋๋ค.
๋ณธ ์ฐ๊ตฌ๋ ์ฐ์
ํต์์์๋ถ๊ฐ ์ฃผ๊ดํ๋ "์ฒจ๋จ์์ฌ๊ธฐ๋ฐ ์ค๋งํธํฉํ ๋ฆฌ ๊ธ๋ก๋ฒ์ธ์ฌ ์์ฑ ์ฌ์
“ ๊ณผ์ ์ ์ง์์ ๋ฐ์, ๋๋
ธ์ญํ๊ณผ ๊ธฐ๊ณ์ ์ ๋ขฐ์ฑ ์ฐ๊ตฌ์ ์ ๋ฌธ๊ฐ๋ค๋ก ๊ตฌ์ฑ๋ ๋
์ผ์ Fraunhofer IKTS ์ฐ๊ตฌํ๊ณผ ํ๋ ฅํ์ฌ ์งํ๋๋ค. ๊น์ฑ์ค ์ฐ๊ตฌํ์ ์์์ ์ค๊ณ์ ๊ณต์ ๋ฐ ์ ๊ธฐ์ ํน์ฑ ๋ถ์์ ๋ด๋นํ๊ณ , Fraunhofer ์ฐ๊ตฌํ์ ๋ฐ๋ง ๋ถ์์ ์ด์ ์ ๋ง์ท๋ค.
HfAlOx ๋ฐ๋ง์ ์ด๋๋ง ์จ๋, Al ๋ํ ๋๋์ ๋ฐ๋ง ๋๊ป ๋ฑ ๊ณต์ ์กฐ๊ฑด์ ์ต์ ํ๋ฅผ ํตํด ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ ํน์ฑ์ ๊ฐ์ ํ๋ค. ๊น์ฑ์ค ์ฐ๊ตฌํ์ ์ฌํด 4์ Nanoscale, 5์ Advanced Intelligent Systems ๋ฑ ์ ๋ช
ํ ๊ตญ์ ํ์ ์ง์ HfOx๊ธฐ๋ฐ ๊ฐ์ ์ ์ฑ ์์์ ๊ดํ ์ฐ๊ตฌ๋ฅผ ๊พธ์คํ ๊ฒ์ฌํ๊ณ ์๋ค. ํ์ฌ IGZO ๋ฐ MoS2 channel ๊ธฐ๋ฐ FeFET์ ๋ฉ๋ชจ๋ฆฌ์์ ์ฐ๊ตฌ๊ฐ ์งํ์ค์ด๊ณ ์๋
์ค ํน์ฑ ๊ตฌํ์ ์ฑ๊ณตํ๋ค.
ํด๋น ์ฐ๊ตฌ๊ฒฐ๊ณผ๋ <Effect of Al Concentration on Ferroelectric Properties in HfAlOx-Based Ferroelectric Tunnel Junction Devices for Neuro-inspired Applications>๋ผ๋ ์ ๋ชฉ์ผ๋ก ๋๋ ธ ๋ถ์ผ ์ ๋ช ๊ตญ์ ํ์ ์ง ใAdvanced Intelligent Systems (IF=7.298)ใ 23๋ 5์ ์จ๋ผ์ธ์ ๊ฒ์ฌ๋๊ณ ์ ๋ ์ปค๋ฒ์ ์ ์ ๋๋ค.